Daniele Paradiso, laurea magistrale in Fisica nel 2014 presso l’Università degli Studi di Milano, ha approfondito il lavoro di tesi svolto presso le strutture della University of Tennessee – Knoxville (UT Knoxville) e dell’Oak Ridge National Laboratory (Tennessee, USA) entrando a far parte del gruppo di ricerca del Prof. J.Z. Larese presso il Department of Chemistry della stessa UT Knoxville e consegue il Ph.D. in Chemistry nel 2019. Nel novembre dello stesso anno, ha iniziato a lavorare come ingegnere di processo e sviluppo presso STMicroelectronics Silicon Carbide AB a Norrköping (Svezia) nell’ambito del progetto di industrializzazione della produzione di substrati di carburo di silicio (SiC). Da agosto 2022, prosegue con lo stesso ruolo presso lo stabilimento per la produzione di substrati SiC di STMicroelectronics a Catania.
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